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Samsung sceglie il processo a 3 nm di TSMC per la HBM di Nvidia
Samsung prevede di usare il processo a 3 nanometri di TSMC per il die di base della memoria NVHBM personalizzata di Nvidia, secondo il Seoul Economic Daily. In base all’accordo riportato dal quotidiano, la produzione della memoria da parte
AI.info Team · Scritto con l’IA ·
Samsung userà il processo a 3 nanometri di TSMC per realizzare il die di base della memoria a elevata larghezza di banda personalizzata di Nvidia, ha riferito il Seoul Economic Daily il 18 ottobre, citando fonti del settore. L’accordo riportato dal quotidiano inserirebbe una fonderia concorrente nella filiera produttiva della NVHBM di Samsung, mentre Nvidia cerca di standardizzare i componenti di memoria che riceve da diversi fornitori.
Il die di base è lo strato logico sotto i die di memoria impilati. Finora Samsung ha prodotto internamente entrambe le parti dei suoi prodotti HBM. Per la NVHBM, l’azienda sudcoreana dovrebbe fornire la memoria, mentre TSMC fabbricherebbe il die di base, secondo quanto riferito dal quotidiano.
Nvidia definisce un progetto comune per tre fornitori
Nvidia ha chiesto a Samsung, SK hynix e Micron di realizzare i die di base della NVHBM usando il processo a 3 nm di TSMC, ha riferito il Seoul Economic Daily, citando fonti anonime del settore. L’azienda vuole inoltre che i fornitori usino lo stesso processo DRAM di sesta generazione, noto come 1c, per i die principali. Secondo il quotidiano, la divisione Device Solutions di Samsung ha accolto la richiesta di Nvidia dopo una valutazione interna.
L’uniformità richiesta affronta un problema pratico: metodi di produzione diversi possono rendere più difficile ottenere prestazioni uniformi da un progetto comune. Le specifiche di Nvidia le consentono inoltre di convalidare i prodotti dei fornitori sulla base di presupposti produttivi più omogenei, anziché adattare le proprie verifiche di qualificazione al processo di ciascun fornitore.
Nvidia ha presentato la NVHBM ad agosto come un progetto di memoria in cui il suo controller di memoria personalizzato è integrato nel die di base della HBM anziché nel die dell’acceleratore. Secondo l’azienda, questo approccio può offrire una larghezza di banda della memoria fino al 30% maggiore e un consumo energetico della HBM inferiore del 15% rispetto alla HBM4E standard, liberando al contempo fino al 25% di spazio in più sul die di calcolo XPU. Si tratta dei confronti dichiarati da Nvidia, non di risultati prestazionali riportati per il prodotto previsto da Samsung.
Samsung mantiene aperta l’opzione della propria fonderia
Il cambiamento riportato riguarda la NVHBM, non l’intera attività HBM di Samsung. Secondo il Seoul Economic Daily, Samsung prevede di mantenere il proprio approccio di produzione integrata per i prodotti HBM standard, usando il suo processo di fonderia a 4 nm per i die di base della HBM4 e della HBM4E. L’azienda intende mantenere lo stesso approccio anche per la HBM personalizzata destinata ad altri clienti, tra cui AMD.
Samsung non ha escluso di produrre internamente anche i die di base della NVHBM. Un rappresentante del settore rimasto anonimo ha detto al Seoul Economic Daily che Samsung sta verificando se la propria fonderia sia in grado di produrre il componente, come soluzione alternativa nel caso in cui la domanda superi la capacità produttiva di TSMC. Il quotidiano non indica un calendario di produzione né comunica i volumi previsti.
Le aziende hanno già collaborato in passato sulla compatibilità tra la HBM di Samsung e il processo di packaging di TSMC, ha riferito il Seoul Economic Daily, che ha però descritto l’accordo sulla NVHBM come la loro prima collaborazione nella fase di produzione della HBM. La nuova ripartizione dà a Nvidia un processo comune per il die di base presso i vari fornitori, lasciando a Samsung una possibile seconda via produttiva.
La proposta pubblica di Nvidia punta sulla standardizzazione
Nell’annuncio di agosto, Nvidia ha dichiarato: «NVIDIA sta definendo un’implementazione standard della NVHBM, disponibile presso più fornitori di memoria». L’azienda ha affermato che lo standard mira a ridurre il lavoro di ingegneria e qualificazione necessario per integrare memorie di fornitori diversi. Amazon’s Annapurna Labs è stata indicata come il primo partner a lavorare sulla NVHBM insieme a NVLink Fusion.
Quell’annuncio pubblico non indicava Samsung, SK hynix, Micron o TSMC come partecipanti allo specifico assetto produttivo descritto dal Seoul Economic Daily. Il resoconto di ottobre si basa su fonti anonime del settore e non contiene conferme pubbliche da parte di Nvidia, Samsung o TSMC. Il piano riportato delinea quindi una configurazione proposta dei fornitori, non un accordo annunciato pubblicamente tra le tre aziende.
Per Samsung, l’accordo comporta la rinuncia a una parte del controllo sull’intero processo produttivo in cambio dell’accesso al programma di memoria personalizzata di Nvidia. La sua fonderia resta una possibile soluzione alternativa, ma il resoconto non chiarisce se questa via sarà qualificata, quanta NVHBM produrrà TSMC né quando saranno consegnati i primi prodotti.