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CXMT avvia la produzione di massa della piattaforma DRAM a 11,95 nm
La cinese CXMT ha avviato la produzione di massa della sua piattaforma DRAM G5 di quinta generazione, con una metà del passo dell’area attiva di 11,95 nm. L’azienda ha inoltre presentato prodotti LPDDR5X da 24Gb che, a suo dire, offrono una
AI.info Team ·
ChangXin Memory Technologies ha avviato la produzione di massa di una piattaforma DRAM di quinta generazione che, secondo l’azienda, riduce il divario produttivo con Samsung Electronics e SK Hynix. Non ha però comunicato i tassi di resa né i volumi mensili di produzione, da cui dipenderà il suo impatto commerciale.
CXMT ha dato l’annuncio il 20 settembre 2026, durante la World Manufacturing Convention a Hefei, nella provincia di Anhui. Secondo il South China Morning Post e un articolo pubblicato da Xinhua, la piattaforma G5 usa una tecnologia a quadrupla esposizione per ridurre a 11,95 nanometri la metà del passo dell’area attiva nella matrice di memoria.
CXMT porta G5 alla produzione su larga scala
L’annuncio segna il passaggio di G5 dallo sviluppo del processo alla produzione di massa. Secondo l’azienda, misurando la produzione rispetto a uno standard equivalente a 8Gb, la piattaforma consente di ottenere almeno il 50% di die in più per wafer rispetto al processo di quarta generazione, con potenziali vantaggi per i costi e i consumi energetici dei suoi prodotti di memoria.
Il dato riguarda il numero lordo di die prodotti, non quello dei chip funzionanti spediti dopo i test. CXMT non ha comunicato un tasso di resa preciso, il numero di wafer avviati alla lavorazione o un obiettivo di produzione mensile. Resta quindi da vedere quanto rapidamente la nuova piattaforma potrà aumentare l’offerta di chip utilizzabili sul mercato.
Che cosa significa 11,95 nm per la DRAM
Il dato di 11,95 nm indicato da CXMT si riferisce alla metà del passo dell’area attiva della matrice di memoria. Non equivale a un nodo di processo completo per chip logici, e i confronti diretti con le denominazioni dei processi usate da Samsung, SK hynix e Micron richiedono cautela.
Secondo CXMT, il risultato deriva dalla quadrupla esposizione, un metodo di definizione dei pattern che ripete le fasi di esposizione e incisione per realizzare strutture più piccole. L’azienda segnala inoltre un rapporto d’aspetto di 45:1 per i condensatori di memorizzazione e afferma di aver applicato un processo con gate metallico e dielettrico ad alta costante k per ridurre l’area funzionale centrale della piattaforma.
Nell’annuncio dell’azienda, le sudcoreane Samsung e SK hynix sono descritte come utilizzatrici di processi DRAM della classe dei 10 nanometri. CXMT presenta G5 come vicina alle piattaforme di memoria più avanzate attualmente prodotte in massa, ma l’annuncio disponibile non fornisce i dati completi su prestazioni, resa e consumi necessari per un confronto diretto tra prodotti.
Entrano in produzione due chip LPDDR5X da 24Gb
CXMT ha mostrato due prodotti LPDDR5X realizzati sulla piattaforma G5. Ogni chip ha una capacità di 24 gigabit, superiore del 50% rispetto alla generazione precedente di prodotti comparabili. Le due versioni adottano package rispettivamente a 496 e 245 sfere, destinati a progetti diversi di dispositivi mobili e portatili.
I prodotti sono destinati agli smartphone e ad altri dispositivi elettronici portatili. Xinhua ha riferito che entrambi sono entrati in produzione su larga scala, mentre il South China Morning Post li ha descritti come prodotti realizzati in massa e mostrati all’evento di Hefei.
Una DRAM mobile di maggiore capacità offre ai produttori di dispositivi un altro modo per aumentare la memoria senza aggiungere chip nel package. Il valore concreto del lancio di G5 dipenderà dalla capacità di CXMT di mantenere i tassi di resa e di far adottare i suoi chip in progetti diversi dai prodotti presentati all’evento.
La crescita di CXMT in un mercato delle memorie concentrato
CXMT si espande mentre i tre fornitori affermati di DRAM concentrano gran parte dei loro sforzi su prodotti di maggior valore, come le memorie ad alta larghezza di banda e le DRAM per server. Questo lascia spazio alla crescita di un fornitore cinese nelle memorie di largo consumo e in quelle per dispositivi mobili, ma spinge anche CXMT a dimostrare che il suo processo può garantire volumi di produzione affidabili, anziché soltanto un dato di fabbricazione di grande richiamo.
L’azienda ha già superato la precedente focalizzazione su DDR4. Il lavoro sui suoi prodotti comprende ora DDR5, LPDDR5X e LPDDR6; l’ultimo annuncio su G5 punta a un segmento LPDDR5X di maggiore capacità impiegato nei dispositivi mobili di fascia alta.
La prossima prova saranno i volumi prodotti, non l’annuncio
G5 offre a CXMT una piattaforma di processo più avanzata e, secondo quanto dichiarato, un aumento del 50% del numero di die prodotti per wafer. Restano da chiarire la resa produttiva, la capacità mensile, la qualificazione presso i clienti e il confronto dei chip con i prodotti concorrenti in termini di consumi energetici, velocità e affidabilità.
Finché CXMT non pubblicherà questi dati, l’annuncio del 20 settembre segna un traguardo nella produzione di massa, ma non stabilisce una nuova gerarchia tra i fornitori mondiali di DRAM. L’azienda ha confermato la piattaforma, la metà del passo dell’area attiva di 11,95 nm e i due prodotti LPDDR5X da 24Gb; i volumi delle spedizioni restano ignoti.